半導体物性なんでもQ＆A対話から生まれた半導体教本

第1部 もっと知りたい！半導体デバイス

Stage 1 p-n接合の拡散電位差を電池として利用できるか
Stage 2 p-n接合ダイオードの順方向電流-電圧特性
Stage 3 金属の種類とショットキー接合
Stage 4 シリコンにショットキー障壁を作る金属
Stage 5 バイポーラトランジスタの電流増幅率の温度依存性
Stage 6 パンチスルー現象
Stage 7 半導体素子の温度依存性
Stage 8 p-n接合の光電流
Stage 9 フォトダイオード
Stage 10 フォトダイオードの受光領域
Stage 11 太陽電池の理論的最大変換効率の導出法
Stage 12 太陽電池の低温特性
Stage 13 太陽電池作製に必要なシリコンの量
Stage 14 ソーラーパネルは発光するか
Stage 15 LED（発光ダイオード）の発光の原理

第２部 半導体物性のココが難しい！

Stage 16 半導体のフェルミ準位はなぜバンドギャップの真ん中にくるのか
Stage 17 間接遷移がわからない
Stage 18 間接遷移・直接遷移は何によって決まるのか
Stage 19 シリコンの直接バンドギャップ
Stage 20 GaAs，GaPのバンドギャップ
Stage 21 バンドギャップの温度依存性
Stage 22 なぜZnOはn形で，NiOはp形か
Stage 23 融点以上での半導体のキャリア密度
Stage 24 ホッピング伝導とトンネル伝導の違い
Stage 25 水素化アモルファスシリコンの電子移動度とホール移動度の差はなぜか
Stage 26 半導体の誘電率
Stage 27 ドーピングによってシリコンの色は変わるのか
Stage 28 絶縁体はすべて透明か
Stage 29 半導体のサブギャップ吸収
Stage 30 なぜ光伝導スペクトルを測定するのか
Stage 31 半導体中の空間電荷制限電流の温度依存性
Stage 32 オーミックな電流より多く流れるのに，なぜ空間電荷「制限電流」と呼ぶのか
Stage 33 縮退半導体の静電シールド効果
Stage 34 形態の違うシリコンの物性値
Stage 35 分極と光学遷移　
Stage 36 半導体の光学現象の量子力学