SiO2 in Si Microdevices
- タイトル読み
- 著者ほか
- 逸見学・著
- 著者ほか読み
- イツミマナブ
- シリーズ:
- 英文書シリーズ
- 発行
- 2002
- サイズ
- Ｂ５変型
- ページ数
- 322
- ISBN
- 978-4-06-210667-2
- 定価
- 22,000円(税込)
- 在庫
- 在庫無し
内容紹介
＜英文書＞
電気特性、SiO2の構造と絶縁特性、絶縁不良個所の検出、不純物の特定、基板評価、寿命検定など、ゲート酸化膜の基礎科学とLSIへの応用を第一人者が解説。海外提携先：Springer
目次
1. Introduction
2. Outline of Silicon Processes
3. Basic Characteristics of SiO2
4. Oxide Defect Locating Method
5. Correlation Between p-type Si and n-type Si Minority-carrier Recombination Lifetimes
6. Wafer Transient Deformation Observation
7. SiO2 Weak Spots Originating in Si Wafers
8. Wafer Cleaning Process Affecting SiO2 Dielectric Strength
9. Selective Oxidation Process Inducing SiO2 Weak Spots
10. Thermal Oxidation Causing SiO2 Instability
11. Polysilicon Gate Formation Process Affecting SiO2 Quality
12. Metal Interconnect Formation Process
13. Si-SiO2 Weak Spots System Repaired from Plasma Damage Through Water Pouring
14. Local Weak Spots Found in Poly-oxides and Buried Oxides
15. Oxide Reliability